 ===============================================================================
 «Публичная библиотека» (http://publ.lib.ru)
 ===============================================================================
 Н.М. Ващенко, В.В. Власенко, Б.С. Гершунский, А.В. Романовская
 Справочник по основам электронной техники
 Под общей редакцией Б.С. Гершунского
 Издание третье, переработанное и дополненное
 Киев: Издательство при Киевском государственном университете издательского объединения «Вища школа», 1978

 6Ф0.3(083)
 С74
 УДК 621.38(038).

 Справочник по основам электронной техники. Издание 3-е. Под общей редакцией Б.С. Гершунского. Киев, издательское объединение «Вища школа», 1978, 392 с.
 В справочнике в доступной форме излагаются физические основы работы и технические показатели наиболее типичных и распространенных электронных приборов, а также принципы построения простейших электронных схем.
 Третье издание справочника дополнено материалом, относящимся к техническим средствам современной микроэлектроники. Обновлен материал, касающийся классификации электронных приборов, их условных графических обозначений и параметров.
 Рассчитан на читателей, желающих получить первоначальные све дения, расширить и систематизировать свои знания в области технической электроники. Табл. 59. Ил. 406. Список лит.: 38 назв.

 Рецензент: канд. технических наук В.Н. Коваль
 Редакция естественной литературы
 Заведующий редакцией Б.Н. Фляшников

 ОГЛАВЛЕНИЕ:
 Предисловие (3).
 РАЗДЕЛ I. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ.
 Глава 1. Электронная эмиссия (5).
 §1.1. Электроны в атоме (5).
 §1.2. Работа выхода (8).
 §1.3. Термоэлектронная эмиссия (11).
 §1.4. Фотоэлектронная эмиссия (12).
 §1.5. Вторичная электронная эмиссия (13).
 §1.6. Электростатическая эмиссия (13).
 Глава 2. Движение электронов в электрических и магнитных полях (14).
 §2.1. Электрон в электрическом поле (14).
 §2.2. Электрон в магнитном поле (17).
 Глава 3. Электрический разряд в газе (18).
 §3.1. Основные явления электрического разряда в газе (18).
 §3.2. Вольт-амперная характеристика газового разряда (20).
 §3.3. Характеристика основных видов газового разряда (21).
 Глава 4. Электропроводность полупроводников (24).
 §4.1. Основные особенности полупроводниковых материалов (24).
 §4.2. Собственная проводимость полупроводника (26).
 §4.3. Примесная проводимость полупроводника (27).
 §4.4. Подвижность носителей заряда (28).
 §4.5. Температурная зависимость проводимости полупроводников (29).
 §4.6. Рекомбинационные процессы в полупроводниках (29).
 §4.7. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях.
 Эффект Ганна (31).
 §4.8. Фотопроводимость (внутренний фотоэффект) (34).
 §4.9. Тензорезистивный эффект (34).
 §4.10. Термоэлектрические явления (35).
 §4.11. Гальваномагнитные явления (37).
 Глава 5. Электронно-дырочный переход (40).
 §5.1. Образование p-n-перехода (40).
 §5.2. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода (42).
 §5.3. Температурные и частотные свойства p-n-перехода (44).
 §5.4. Туннельный эффект (45).
 §5.5. Фотогальванический эффект (47).
 РАЗДЕЛ II. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ И ИОННЫЕ ПРИБОРЫ.
 Глава 6. Электронные лампы (49).
 §6.1. Классификация и система обозначений (49).
 §6.2. Диод (52).
 §6.3. Триоды (61).
 §6.4. Тетроды (74).
 §6.5. Лучевые тетроды (79).
 §6.6. Пентоды (88).
 §6.7. Специальные лампы (99).
 Глава 7. Электронно-лучевые трубки (112).
 §7.1. Классификация и система обозначений (112).
 §7.2. Осциллографические трубки (114).
 §7.3. Индикаторные трубки (121).
 §7.4. Кинескопы (125).
 §7.5. Запоминающие трубки (134).
 §7.6. Передающие телевизионные трубки (136).
 Глава 8. Ионные приборы (141).
 §8.1. Классификация и система обозначений (141).
 §8.2. Сигнальные индикаторы тлеющего разряда (143).
 §8.3. Стабилитроны (147).
 §8.4. Тиратроны тлеющего разряда (150).
 §8.5. Декатроны (157).
 §8.6. Знаковые индикаторы (162).
 §8.7. Ионные разрядники (166).
 §8.8. Газотроны (167).
 §8.9. Тиратроны с накаленным катодом (172).
 Глава 9. Фотоэлементы с внешним фотоэффектом и фотоэлектронные умножители (178).
 §9.1. Классификация и система обозначений (178).
 §9.2. Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы (179).
 §9.3. Фотоэлектронные умножители (ФЭУ) (188).
 РАЗДЕЛ III. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ.
 Глава 10. Полупроводниковые резисторы (195).
 §10.1. Классификация и система обозначений (195).
 §10.2. Терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (198).
 §10.3. Позисторы (206).
 §10.4. Фоторезисторы (210).
 §10.5. Варисторы (216).
 Глава 11. Полупроводниковые диоды (221).
 §11.1. Классификация и система обозначений (221).
 §11.2. Выпрямительные диоды (224).
 §11.3. Стабилитроны (230).
 §11.4. Высокочастотные диоды (240).
 §11.5. Импульсные диоды (243).
 §11.6. Сверхвысокочастотные диоды (248).
 §11.7. Варикапы (257).
 §11.8. Туннельные диоды (260).
 §11.9. Тиристоры (265).
 §11.10. Фотодиоды (275).
 §11.11. Светодиоды (279).
 Глава 12. Транзисторы (280).
 §12.1. Классификация и система обозначений (280).
 §12.2. Конструкция (282).
 §12.3. Принцип работы (285).
 §12.4. Схемы включения (289).
 §12.5. Характеристики (291).
 §12.6. Эквивалентные схемы и параметры (295).
 §12.7. Применение (301).
 §12:8. Полевые транзисторы (317).
 §12.9. Однопереходный транзистор (двухбазовый диод) (324).
 §12.10. Фототранзистор (327).
 РАЗДЕЛ IV. ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.
 Глава 13. Микромодули (330).
 §13.1. Конструкция микромодулей (330).
 §13.2. Микроэлементы (334).
 §13.3. Основы конструирования микромодулей (343).
 Глава 14. Гибридные интегральные схемы (345).
 §14.1. Общие сведения (345).
 §14.2. Пассивные элементы гибридных интегральных микросхем (345).
 §14.3. Бескорпусные полупроводниковые приборы (351).
 §14.4. Основы проектирования и технологии изготовления пленочных микросхем (353).
 Глава 15. Полупроводниковые интегральные микросхемы (360).
 §15.1. Конструктивно-технологические особенности (360).
 §15.2. Компоненты полупроводниковых интегральных схем (362).
 §15.3. Разработка топологии полупроводниковых интегральных схем (366).
 §15.4. Большие интегральные схемы (БИС) (368).
 §15.5. Функциональные устройства (369).
 Глава 16. Применение интегральных микросхем (371).
 §16.1. Система обозначений (371).
 §16.2. Логические интегральные микросхемы (376).
 §16.3. Аналоговые (линейные) интегральные микросхемы (386).
 Список литературы (390).

 Николай Михайлович Ващенко, Валерий Валентинович Власенко, Борис Семенович Гершунский, Альбина Васильевна Романовская
 СПРАВОЧНИК ПО ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
 Под общей редакцией Б.С. Гершунского
 Издание третье, переработанное и дополненное
 Редактор Е.М. Миронец
 Переплет художника А.Ф. Морозова
 Художественный редактор Ю.О. Стефанишин
 Технический редактор Н.И. Бабюк
 Корректоры М.Г. Ехлакова, М.А. Идрисова
 Сдано в набор 10.06.77. Подписано в печать 25.01.78. Тираж 42000 экз. Цена 1 р. 60 к.
 Издательство при Киевском государственном университете издательского объединения «Вища школа», Киев
 ===============================================================================
 *** О П И С А Н И Е * И З Д А Н И Я *** 5.4 ***
 ===============================================================================
 |ТИТУЛ ВЕБ-СТРАНИЦЫ¦ Гершунский Борис Семенович
 |СЕРИЯ, ГОД, НОМЕР ¦
 |АВТОРЫ... НАЗВАНИЕ¦ Гершунский Б.С..._ Справочник по основам электронной техники.
 |НАЗВАНИЕ ОРИГИНАЛА¦
 |ЖАНР-ФОРМА-ВИД-ТИП¦ Издание 3-е, переработанное и дополненное.
 Авторы: Николай Михайлович Ващенко, Валерий Валентинович Власенко, Борис Семенович Гершунский, Альбина Васильевна Романовская.
 Редактор: Борис Семенович Гершунский.
 Переплет художника А.Ф. Морозова.
 |ИЗДАТЕЛЬ. - СЕРИЯ ¦ Киев: Издательство при Киевском государственном университете издательского объединения «Вища школа», 1978
 |АВТОРЫ ФАЙЛА И OCR¦ Скан, обработка, формат Pdf-Fax: derevyaha, fire_varan; доработка, формат Pdf-Fax: звездочет, 2025
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ПАПКИ¦
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ СЕРИИ¦
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ФАЙЛА¦ Gershunskiy_B.S...__Spravochnik_po_osnovam_elektronnoy_tehniki.(1978)
 |ДОПОЛНЕНИЯ К ИМЕНИ¦ [djv-fax] [pdf-fax]
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ОБЛ. ¦ Spoe78
 |АННОТАЦИЯ ИЗДАНИЯ ¦ ИЗ ИЗДАНИЯ:
 В справочнике в доступной форме излагаются физические основы работы и технические показатели наиболее типичных и распространенных электронных приборов, а также принципы построения простейших электронных схем.
 Третье издание справочника дополнено материалом, относящимся к техническим средствам современной микроэлектроники. Обновлен материал, касающийся классификации электронных приборов, их условных графических обозначений и параметров.
 Рассчитан на читателей, желающих получить первоначальные све дения, расширить и систематизировать свои знания в области технической электроники. Табл. 59. Ил. 406. Список лит.: 38 назв.
 |СОДЕРЖАНИЕ ИЗДАНИЯ¦ ОГЛАВЛЕНИЕ:
 Предисловие (3).
 РАЗДЕЛ I. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ.
 Глава 1. Электронная эмиссия (5).
 §1.1. Электроны в атоме (5).
 §1.2. Работа выхода (8).
 §1.3. Термоэлектронная эмиссия (11).
 §1.4. Фотоэлектронная эмиссия (12).
 §1.5. Вторичная электронная эмиссия (13).
 §1.6. Электростатическая эмиссия (13).
 Глава 2. Движение электронов в электрических и магнитных полях (14).
 §2.1. Электрон в электрическом поле (14).
 §2.2. Электрон в магнитном поле (17).
 Глава 3. Электрический разряд в газе (18).
 §3.1. Основные явления электрического разряда в газе (18).
 §3.2. Вольт-амперная характеристика газового разряда (20).
 §3.3. Характеристика основных видов газового разряда (21).
 Глава 4. Электропроводность полупроводников (24).
 §4.1. Основные особенности полупроводниковых материалов (24).
 §4.2. Собственная проводимость полупроводника (26).
 §4.3. Примесная проводимость полупроводника (27).
 §4.4. Подвижность носителей заряда (28).
 §4.5. Температурная зависимость проводимости полупроводников (29).
 §4.6. Рекомбинационные процессы в полупроводниках (29).
 §4.7. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях.
 Эффект Ганна (31).
 §4.8. Фотопроводимость (внутренний фотоэффект) (34).
 §4.9. Тензорезистивный эффект (34).
 §4.10. Термоэлектрические явления (35).
 §4.11. Гальваномагнитные явления (37).
 Глава 5. Электронно-дырочный переход (40).
 §5.1. Образование p-n-перехода (40).
 §5.2. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода (42).
 §5.3. Температурные и частотные свойства p-n-перехода (44).
 §5.4. Туннельный эффект (45).
 §5.5. Фотогальванический эффект (47).
 РАЗДЕЛ II. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ И ИОННЫЕ ПРИБОРЫ.
 Глава 6. Электронные лампы (49).
 §6.1. Классификация и система обозначений (49).
 §6.2. Диод (52).
 §6.3. Триоды (61).
 §6.4. Тетроды (74).
 §6.5. Лучевые тетроды (79).
 §6.6. Пентоды (88).
 §6.7. Специальные лампы (99).
 Глава 7. Электронно-лучевые трубки (112).
 §7.1. Классификация и система обозначений (112).
 §7.2. Осциллографические трубки (114).
 §7.3. Индикаторные трубки (121).
 §7.4. Кинескопы (125).
 §7.5. Запоминающие трубки (134).
 §7.6. Передающие телевизионные трубки (136).
 Глава 8. Ионные приборы (141).
 §8.1. Классификация и система обозначений (141).
 §8.2. Сигнальные индикаторы тлеющего разряда (143).
 §8.3. Стабилитроны (147).
 §8.4. Тиратроны тлеющего разряда (150).
 §8.5. Декатроны (157).
 §8.6. Знаковые индикаторы (162).
 §8.7. Ионные разрядники (166).
 §8.8. Газотроны (167).
 §8.9. Тиратроны с накаленным катодом (172).
 Глава 9. Фотоэлементы с внешним фотоэффектом и фотоэлектронные умножители (178).
 §9.1. Классификация и система обозначений (178).
 §9.2. Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы (179).
 §9.3. Фотоэлектронные умножители (ФЭУ) (188).
 РАЗДЕЛ III. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ.
 Глава 10. Полупроводниковые резисторы (195).
 §10.1. Классификация и система обозначений (195).
 §10.2. Терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (198).
 §10.3. Позисторы (206).
 §10.4. Фоторезисторы (210).
 §10.5. Варисторы (216).
 Глава 11. Полупроводниковые диоды (221).
 §11.1. Классификация и система обозначений (221).
 §11.2. Выпрямительные диоды (224).
 §11.3. Стабилитроны (230).
 §11.4. Высокочастотные диоды (240).
 §11.5. Импульсные диоды (243).
 §11.6. Сверхвысокочастотные диоды (248).
 §11.7. Варикапы (257).
 §11.8. Туннельные диоды (260).
 §11.9. Тиристоры (265).
 §11.10. Фотодиоды (275).
 §11.11. Светодиоды (279).
 Глава 12. Транзисторы (280).
 §12.1. Классификация и система обозначений (280).
 §12.2. Конструкция (282).
 §12.3. Принцип работы (285).
 §12.4. Схемы включения (289).
 §12.5. Характеристики (291).
 §12.6. Эквивалентные схемы и параметры (295).
 §12.7. Применение (301).
 §12:8. Полевые транзисторы (317).
 §12.9. Однопереходный транзистор (двухбазовый диод) (324).
 §12.10. Фототранзистор (327).
 РАЗДЕЛ IV. ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.
 Глава 13. Микромодули (330).
 §13.1. Конструкция микромодулей (330).
 §13.2. Микроэлементы (334).
 §13.3. Основы конструирования микромодулей (343).
 Глава 14. Гибридные интегральные схемы (345).
 §14.1. Общие сведения (345).
 §14.2. Пассивные элементы гибридных интегральных микросхем (345).
 §14.3. Бескорпусные полупроводниковые приборы (351).
 §14.4. Основы проектирования и технологии изготовления пленочных микросхем (353).
 Глава 15. Полупроводниковые интегральные микросхемы (360).
 §15.1. Конструктивно-технологические особенности (360).
 §15.2. Компоненты полупроводниковых интегральных схем (362).
 §15.3. Разработка топологии полупроводниковых интегральных схем (366).
 §15.4. Большие интегральные схемы (БИС) (368).
 §15.5. Функциональные устройства (369).
 Глава 16. Применение интегральных микросхем (371).
 §16.1. Система обозначений (371).
 §16.2. Логические интегральные микросхемы (376).
 §16.3. Аналоговые (линейные) интегральные микросхемы (386).
 Список литературы (390).
 ===============================================================================